Gain-Chip bei 888nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 888nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
Wellenlänge: 888 nm
Regelbereichsbreite: 90 nm
Maximale Ausgangsleistung: 200 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 905 nm
Durchlassstrom: 400 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 8.5 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 36 deg
Chiplänge: 1.5 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser