关于 Innolume

Innolume 是一家提供基于铟镓砷/砷化镓（ InGaAs/GaAs）量子阱和量子点技术光子器件的综合型供应商，产品波长覆盖范围为 780 nm 至 1350 nm。

Innolume专注于开发定制化光子器件，精准匹配客户特定需求。我们具备中批量自主生产能力，并可无缝移交代工厂实现大规模量产，确保全流程可扩展性与品质一致性。

Innolume 是首个成功将量子点（QD）半导体器件推向商业市场的团队。在实现这一里程碑的同时，我们还开发了领先的量子阱（QW）激光技术，进一步巩固了我们在光子技术创新前沿的地位。

Innolume 配备两台量产级分子束外延（MBE）反应炉，支撑铟铝镓砷磷/砷化镓（In,Al,Ga,AsP/GaAs）异质结构的外延生长，为研发与批量生产提供所需的灵活适应性与可持续运行能力。 传统的 InGaAs 量子阱结构可覆盖 780–1120 nm 的标准波长范围，而我们自有专利的砷化铟量子点（InAs QD）技术将砷化镓（GaAs）技术可达范围扩展至1350纳米。

Innolume 的晶圆加工能力涵盖前端制造的所有工艺步骤，包括电子束光刻（EBL）和现代化控制技术，以实现高质量激光芯片的生产。

应用自有专利的切割端面表面钝化技术，确保全系列高功率产品具备卓越的寿命性能。通过精密控制光学薄膜沉积工艺，实现极深度抗反射镀膜（反射率＜0.01%），该技术对外腔增益芯片（Gain Chips）的超低噪声性能及半导体光放大器（SOA）与超辐射发光二极管（SLD）产品的低光谱纹波至关重要。

Innolume 在封装技术方面表现卓越，提供多样化解决方案以满足不同需求。我们的芯片载体贴装（CoC）方案涵盖多种结构规格，确保兼容多种应用场景。此外，我们还提供带光纤引线的模块（BTF），以提升连接性与集成度。每个模块在出货前都需经过严格的老化测试和出厂质检，从而确保产品的可靠性与性能。