超辐射二极管(SLD)

14 针 BTF 封装的光纤耦合超辐射二极管(SLD)

超辐射二极管(SLD)

超辐射二极管(SLD)是一种半导体器件,在正向偏置下能够产生宽谱范围的受激自发辐射。与激光器不同,SLD 具有宽的光谱输出,适用于多种应用。由于缺乏反馈机制,SLD 无法实现激光振荡,但其结构设计允许其沿波导方向实现高增益的单程放大。为抑制光学反馈,SLD 采用了倾斜波导和反射率低于0.001%的抗反射涂层,显著降低了光谱起伏。SLD 的峰值波长和发光强度取决于有源材料的组成以及注入电流的大小。Innolume 生产的部分 SLD 器件具有超过250mW 的高输出光功率,具有低光谱起伏和宽光谱特性。光谱宽度对于光学系统尤其重要,因为它会影响相干长度。更宽的光谱适用于特定应用。SLD 具有高空间相干性,适合耦合至单模光纤。Innolume 提供多种封装选项,包括14针模块,支持 PM/HI 光纤类型、900μm 松套管和带光电探测器的配置。同时,Innolume 也可以提供芯片安装在子载体、散热器(如 C-Mount)或 TO 管封装中的方案。

超辐射发光二极管(SLD)的主要特点

  • 高输出功率: 光输出功率超过 250 毫瓦,适用于高性能应用需求。
  • 宽光谱: 部分 Innolume SLD 提供超过 100 纳米的宽光谱带宽,适合宽带成像与测量。
  • 反馈抑制: 采用倾斜波导结构和 <0.001% 反射率的抗反射涂层,有效抑制光反馈并减少光谱起伏。
  • 封装选项: 提供多种封装形式,包括 14 针模块、芯片安装于散热器、Submount 或 TO-Can 外壳。
  • 定制化能力: Innolume 可根据客户需求定制波长及光谱带宽,实现高度适配的产品解决方案。
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波长
nm
nm
功率
mW
mW
封装
All
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典型参数 超辐射二极管(SLD)

零件编号
Mean wavelength
nm
Spectrum bandwidth (3dB)
nm
Output power
mW
Spectrum dip
dB
ASE ripples (RMS)
dB
Forward current
mA
Forward voltage
V
Polarization extinction ratio
dB
Package

超辐射发光二极管(SLD)——主要特性、功能和应用
超辐射发光二极管(SLD)本质上类似于激光二极管,其工作基于电激励的 p-n 结。当在导通方向施加电流时,该结变为光学活性,产生在宽光谱范围内的受激自发辐射(ASE)。SLD 的特定峰值波长和发射强度取决于有源材料的组成以及注入电流的水平。与传统激光二极管不同,SLD 旨在在波导方向上实现单程高增益放大,但由于缺乏激光所需的反馈机制,不会实现激光振荡。这种“无反馈”特性通过倾斜波导和深度抗反射涂层的组合得以实现。
Innolume SLD 的优势特性
高光品质: 我们的 SLD 发出明亮、均匀且稳定的光源,非常适合测量、医学诊断及其他高要求应用。
宽光谱范围: 从可见光到红外,覆盖波段广,适用于各类系统集成。
高可靠性: 即使在高强度使用条件下,我们的 SLD 仍保持长期稳定运行,品质值得信赖。
SLD 的典型应用场景
医学诊断: 包括组织扫描和光学相干断层成像(OCT)等高精度成像技术,是准确、可靠诊断系统不可或缺的一部分。
光学测量: 凭借出色的光稳定性与品质,适用于各种参数检测的光学测量系统。
光纤传感器与光谱学仪器: 用于应变、温度、距离、成分等非接触式高精度检测。
Innolume SLD 的关键特性
光输出功率高达 300mW;
光谱带宽最高 120nm,适用于宽带应用;
极低光谱起伏,保障信号纯净;
强线性偏振,可适配多种偏振敏感系统;
所有器件均经过单独烧录与热循环筛选;
专有镜面涂层技术,实现超高可靠性。
为什么选择 Innolume?
Innolume 是基于 GaAs 高功率 SLD 的领先制造商,在 Datacom、医疗、科研、工业等多个领域树立了良好的口碑。我们的产品组合不仅涵盖 SLD 技术,还包括 DFB、DBR、量子点激光器等系列解决方案。
我们坚持高标准内部质量控制、创新研发理念和严苛测试流程,确保每一款 SLD 产品都符合最严格的性能指标。在稳定性、寿命与集成便捷性方面,我们的 SLD 优于许多传统光源。
每一个项目都是独一无二的。我们不仅提供现成解决方案,还根据客户需求定制专属光源产品,确保每一个系统都获得理想匹配。 
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