科研 & 进展

定制化二极管激光器解决方案

Innolume专注于砷化镓量子阱和量子点二极管激光器，波长范围覆盖780 nm至1350 nm，产品涵盖高功率宽条和单模Fabry-Perot激光器、DFB激光器、SOA、BOA、梳状激光器、超低噪声WDM SOA和增益芯片等多种器件。

全面的内部制造能力

Innolume配备了最先进的设施，包括两套工业级外延反应器及先进的晶圆加工能力。我们全程自主管控研发与生产各环节——从初始外延结构设计、芯片版图开发到光纤尾纤模块制造，每一步均执行严格测试。该集成化模式确保我们在最大化效率的同时，维系严苛的质量控制标准。我们致力于基础研究，凭借对物理机理的深刻理解及先进测量设备，持续引领光子学创新。

开拓性的传承与专家团队

Innolume的根源可追溯至诺贝尔奖得主阿尔费罗夫教授的实验室，他因在半导体技术方面的开创性贡献，于2000年荣获诺贝尔物理学奖，其中包括双异质结构的发明以及首个可在室温下运行的二极管激光器的开发。我们团队长期被公认为半导体量子点技术研究与开发的全球领导者，并率先将该技术应用于商业环境。早在2007年，Innolume团队就展示了首款量子点宽带激光器与梳状激光器（A. Kovsh 等，Optics Letters，2007年4月；A. Gubenko 等，Electronics Letters，2007年12月）。2020年，Innolume凭借其具有温度独立特性的InAs/GaAs量子点连续波DFB激光器荣获SPIE Prism奖。我们的团队在光子领域拥有超过200年的人工年经验，其中有20多位专家拥有博士学位。

卓越的合作能力

Innolume在基于NRE（非经常性工程费用）的联合开发项目方面拥有丰富的成功经验，合作对象涵盖初创企业到行业巨头。我们致力于提供超出预期的创新解决方案。只需告诉我们您的应用性能需求，我们将评估可行性并制定最优方案。

云网络与AI集群的新兴平台：量子点技术

O波段量子点激光器相较于传统磷化铟量子阱器件的优势：

• 易于集成：O波段量子点激光器表现出显著降低的背向反射敏感度，无需在激光器与光子集成电路（PIC）间配置光学隔离器，从而简化集成。
• 高温高效大功率运行：量子点增益介质可在高温环境下实现高效运行而无需冷却，从而显著降低云网络系统的整体功耗。
• 超低相对强度噪声（RIN）：O波段量子点DFB激光器具有极低的RIN值，适用于未来224 Gbps以上的PAM4调制格式。
• 抗失效机制强：量子点激光器不易发生光学镜面损伤及位错传播，此特性显著优于量子阱器件，从而提升光网络与AI集群系统至关重要的可靠性。
• 批量生产成本更低：更大尺寸的GaAs晶圆（6英寸和8英寸）及其较低的基底成本，相较InP（磷化铟0基器件显著降低制造费用。此外，GaAs材料比InP更坚固，进一步减少了处理难度。
• 更高的激光阵列良率：Innolume简化的GaAs DFB激光器制造流程省略了二次外延步骤，有望提高激光阵列的良率，从而进一步优化生产效率。

量子点激光器凭借上述优势，成为云网络与AI集群应用的理想选择——满足其对长期高可靠性、强健性能、高温能效及高性价比激光器的核心需求。

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即刻提出您的性能需求，我们将为您定制专属激光解决方案。Innolume——尖端光子技术，赋能应用所需。

联系方式：info@innolume.com