Wo hochmoderne Photoniktechnologie auf Ihre Anwendungsanforderungen trifft

Entdecken Sie maßgeschneiderte Diodenlaser-Lösungen

Bei Innolume sind wir auf GaAs-Quantum-Well- und Quantum-Dot-Diodenlaser im Wellenlängenspektrum von 780 nm bis 1350 nm spezialisiert. Wir nutzen unser Fachwissen in einer breiten Palette von Geräten, darunter Hochleistungs-Breitbereichs- und Einmoden-Fabry-Perot-Laser, DFB-Laser, SOAs, BOAs, Comb-Laser, Ultra-Low-Noise-WDM-SOA und Verstärkerchips.

Umfassende Inhouse-Kapazitäten

Innolume verfügt über hochmoderne Einrichtungen, darunter zwei industrielle Epitaxiereaktoren und fortschrittliche Wafer-Verarbeitungskapazitäten. Wir steuern jede Phase der Entwicklung und Produktion intern, beginnend von der Epitaxie und dem Chip-Layout-Design bis hin zur Faser-gekoppelten Modulfertigung, wobei wir jeden Schritt rigoros testen. Dieser integrierte Ansatz ermöglicht es uns, strenge Qualitätsstandards aufrechtzuerhalten und gleichzeitig die Effizienz zu maximieren. Unser Engagement für grundlegende Studien, gepaart mit unserem tiefen Verständnis der Physik und modernster Messtechnik, stellt sicher, dass wir die Führung in der Photonik-Innovation bewahren.

Pionierarbeit und Expertenteam

Die Wurzeln von Innolume reichen bis in das Labor des Nobelpreisträgers Prof. Zhores Alferov zurück, der 2000 den Nobelpreis für Physik für seine bahnbrechenden Beiträge zur Halbleitertechnologie erhielt, einschließlich der Erfindung der Doppelheterostruktur und des ersten bei Raumtemperatur arbeitenden Diodenlasers. Unser Team wird seit langem als weltweit führend in der Forschung und Entwicklung der Quantum-Dot-Halbleitertechnologie anerkannt und war Vorreiter bei deren kommerziellen Anwendung. Bereits 2007 demonstrierte das Innolume-Team die ersten QD-Breitband- und Comb-Laser (A. Kovsh et al., Optics Letters, April 2007; A. Gubenko et al., Electronics Letters, Dez. 2007). Im Jahr 2020 gewann Innolume den SPIE Prism Award für seinen temperaturunsensiblen InAs/GaAs QD CW DFB-Laser. Unser Team verfügt über mehr als zwei Jahrhunderte an gesammelter Erfahrung in der Photonik, mit über 20 Experten, die über einen Doktortitel verfügen.

Erwiesene Exzellenz in der Zusammenarbeit

Innolume hat eine nachgewiesene Erfolgsbilanz erfolgreicher, auf NRE basierender gemeinsamer Entwicklungsprojekte mit Partnern, die von kleinen Start-ups bis hin zu großen Industriekonzernen reichen. Unser Engagement besteht darin, innovative Lösungen zu liefern, die die Erwartungen stets übertreffen. Sie teilen uns die Leistungsanforderungen für Ihre Anwendung mit, und wir bestimmen die Machbarkeit und entwickeln die optimale Lösung.

QD-Technologie als aufstrebende Plattform für Cloud-Netzwerke und KI-Cluster

Vorteile von O-Band-Quantum-Dot-Lasern im Vergleich zu herkömmlichen InP-Quantum-Well-Geräten:

• Einfache Integration: O-Band-QD-Laser zeigen eine viel geringere Empfindlichkeit gegenüber Rückreflexion, wodurch die Notwendigkeit eines optischen Isolators zwischen dem Laser und dem PIC (Photonik-Integrierter Schaltkreis) entfällt und die Integration vereinfacht wird.
• Effizienter Hochleistungsbetrieb bei erhöhten Temperaturen: QD-Verstärkermedien ermöglichen einen effizienten Betrieb bei höheren Temperaturen ohne Kühlung, wodurch der Gesamtenergieverbrauch von Cloud-Netzwerken erheblich reduziert wird.
• Rekordniedriges relatives Intensitätsrauschen (RIN): O-Band-QD-DFB-Laser erreichen ein außergewöhnlich niedriges RIN, was für zukünftige 224 Gbps+ PAM4-Modulationsformate entscheidend ist.
• Immunität gegenüber wesentlichen Ausfallmechanismen: Im Gegensatz zu QW-Lasern sind QD-Laser weniger anfällig für Schäden an optischen Spiegeln und Versetzungsfortpflanzung, was die Zuverlässigkeit, die für optische Netzwerke und KI-Cluster entscheidend ist, erhöht.
• Niedrigere Herstellungskosten bei hohen Stückzahlen: Größere GaAs-Wafergrößen (6- und 8-Zoll) und niedrigere Substratkosten tragen zu geringeren Herstellungskosten im Vergleich zu InP-basierten Geräten bei. Darüber hinaus ist GaAs-Material weniger zerbrechlich als InP, was die Handhabungsprobleme weiter reduziert.
• Höhere Laserausbeute: Der vereinfachte GaAs-DFB-Laser-Fertigungsprozess von Innolume, der keine Überwuchsprozesse erfordert, wird voraussichtlich die Ausbeute an Lasern in Arrays erhöhen und die Produktionseffizienz weiter optimieren.

Diese Vorteile machen QD-Laser zu einer überzeugenden Wahl für Cloud-Netzwerke und KI-Cluster, die Laser mit verlängerter Zuverlässigkeit, robuster Leistung, Effizienz bei hohen Temperaturen und Kosteneffizienz erfordern.

Kontaktieren Sie uns

Kontaktieren Sie uns noch heute mit Ihren Leistungsanforderungen, und lassen Sie uns eine maßgeschneiderte Diodenlaser-Lösung entwickeln, die auf Ihre Bedürfnisse zugeschnitten ist.
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Kontaktinfo: info@innolume.com