EINZIGARTIGE TECHNOLOGIE
EINZIGARTIGE TECHNOLOGIE
von Quantum Dots
VERTIKAL INTEGRIERTE
VERTIKAL INTEGRIERTE
Produktionsstätte von der Epitaxie bis zum Packaging
ENDLOSE FLEXIBILITÄT
ENDLOSE FLEXIBILITÄT
für kundenspezifische Anforderungen auch bei kleinen Mengen
GRÖßTE AUSWAHL
GRÖßTE AUSWAHL
der bestehenden Produktlinie
ÜBER 20 JAHRE ERFAHRUNG
ÜBER 20 JAHRE ERFAHRUNG
in der photonischen F&E und Produktion
HERGESTELLT IN DEUTSCHLAND
HERGESTELLT IN DEUTSCHLAND
im High-Tech-Zentrum Dortmund
Neue Produkte
Booster-Optischer Verstärker bei 1310nm im BTF-Gehäuse
Booster-Optischer Verstärker bei 1310nm im BTF-Gehäuse
BOA1310070YY300MXXXX
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mittlere Wellenlänge des Verstärkungsbereichs:  1310 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  70 nm
Ausgangsleistung:  300 mW
IN DEN WARENKORB
Booster-Optischer Verstärker bei 1260nm im BTF-Gehäuse
Booster-Optischer Verstärker bei 1260nm im BTF-Gehäuse
BOA1260050YY400MXXXX
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mittlere Wellenlänge des Verstärkungsbereichs:  1260 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  50 nm
Ausgangsleistung:  400 mW
IN DEN WARENKORB
Fasergekoppelte DFB-Laserdioden bei 780nm
Fasergekoppelte DFB-Laserdioden bei 780nm
DFB0780000YY010MFXXX
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Spitzenwellenlänge:  780 nm
Ausgangsleistung:  10 mW
Durchlassstrom:  100 mA
IN DEN WARENKORB
DFB-Laserdioden bei 1310 nm mit 70 mW – Chip ohne Gehäuse, weiter Temperaturbereich
DFB-Laserdioden bei 1310 nm mit 70 mW – Chip ohne Gehäuse, weiter Temperaturbereich
DFA1310000DI070MXXXX
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Spitzenwellenlänge:  1310 nm
Ausgangsleistung:  70 mW
Durchlassstrom:  200 mA
IN DEN WARENKORB
Fasergekoppelte DFB-Laserdioden bei 1310nm
Fasergekoppelte DFB-Laserdioden bei 1310nm
DFB1310000YY300MFXXX
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Spitzenwellenlänge:  1310 nm
Ausgangsleistung:  300 mW
Durchlassstrom:  1500 mA
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 850nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 850nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  850 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
IN DEN WARENKORB
Halbleiteroptischer Verstärker bei 1310nm im BTF-Gehäuse
Halbleiteroptischer Verstärker bei 1310nm im BTF-Gehäuse
SOA1310025YY12DBXXXX
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Wellenlänge:  1310 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  25 nm
Kleinsignalverstärkung:  12 dB
IN DEN WARENKORB
Aktuelle News
Wir arbeiten immer an etwas Neuem. Erfahren Sie, was als Nächstes für uns und unsere Kunden ansteht.
Innolume präsentiert sein O-Band-WDM-SOA-Portfolio für optische Netzwerke der nächsten Generation
Innolume präsentiert sein O-Band-WDM-SOA-Portfolio für optische Netzwerke der nächsten Generation
Entdecken Sie, wie wellenlängenspezifische SOAs für 1260 nm, 1310 nm und 1340 nm ein flexibles O-Band-Netzwerkdesign ermöglichen validiert durch Systemtests mit hochbitratigen 100G-PAM4-Übertragungssignalen.
Innolume koordiniert das HiPER CPO-Projekt zur Entwicklung von Laserquellen für Co-Packaged Optics
Innolume koordiniert das HiPER CPO-Projekt zur Entwicklung von Laserquellen für Co-Packaged Optics
Innolume koordiniert das HiPER CPO-Projekt zur Entwicklung von Quantum-Dot-Laserquellen für Co-Packaged Optics und schafft damit die Grundlage für schnellere und energieeffizientere optische Datenübertragung.
Innolume erweitert die Quantenpunkt-Fertigung mit einem neuen Veeco GEN2000 MBE-System
Innolume erweitert die Quantenpunkt-Fertigung mit einem neuen Veeco GEN2000 MBE-System
Innolume hat ein neues Veeco GEN2000® Molecular Beam Epitaxy (MBE)-System bestellt, um seine Epitaxie-Fertigungsplattform weiter auszubauen und der steigenden Nachfrage nach galliumarsenidbasierten (GaAs) Quantenpunkt-Photonikprodukten für Siliziumphotonik, optische Transceiver der nächsten Generation, KI-Infrastrukturen und Cloud-Rechenzentren gerecht zu werden.
Innolume tritt dem PhotonDelta-Ökosystem bei
Innolume tritt dem PhotonDelta-Ökosystem bei
Innolume tritt dem PhotonDelta-Ökosystem bei und stärkt damit die Zusammenarbeit innerhalb der europäischen integrierten Photonikbranche. Die Partnerschaft fördert Innovationen in den Bereichen PIC-Technologien, optische Kommunikation, Rechenzentren, Künstliche Intelligenz und Photoniklösungen der nächsten Generation.
Alle News

INNOLUME‘S GESCHICHTE

AUSGEWÄHLTE MEILENSTEINE IN UNSERER GESCHICHTE
2003
Das Unternehmen wurde als Spin-off des Ioffe-Instituts und des Instituts für Festkörperphysik der Technischen Universität Berlin gegründet und basiert auf der langjährigen Zusammenarbeit zwischen den Laboren von Prof. Zhores Alferov (Nobelpreis für Physik 2000) und Prof. Dieter Bimberg (UNESCO-Preis 2006).
2004
MBE-Produktion von QD-Wafern. Erste Verkäufe und NRE-Projekte.
2005
Entwicklung von O-Band-QD-Passiv-Mode-Locking-Lasern mit weltrekordverdächtiger Leistung.
2006
Erfindung des O-Band-QD-basierten Comb-Lasers.
2007
Abschluss der Hochfahrphase der Laserproduktionsanlagen: von der Epitaxie bis zu fasergekoppelten Modulen.
2008
Start der Produktion von Hochleistungs-FP-Lasern basierend auf QDs und QWs.
2009
Beginn der Produktion von Hochleistungs-FBG-Lasermodulen.
2012
Entwicklung von DFB-GaAs-Lasern basierend auf QDs und QWs. Beginn der Produktion.
2013
Erfindung von FBG-Lasern zur Erzeugung der zweiten Harmonischen.
2015
Produktionsstart von O-Band-QD-Lasern mit einem Rekord-PCE von über 45%.
2017
Erweiterung des Produktportfolios.
2019
Erfindung von Hochleistungs-O-Band-DFB-QD-Lasern mit hoher Temperaturbeständigkeit (Prizm Award 2020).
2020
Erfindung von Hochleistungs-O-Band-SOAs für LiDAR-Anwendungen.
2021
Start der Produktion von Hochleistungs-1,2µm-FP-Lasern für BDFA-Pumpen.
2022
Entwicklung von ultrageräuscharmen Comb-SOAs basierend auf QDs.
2024
Start eines bedeutenden CapEx-Programms zur Erweiterung unserer Produktionskapazität und zur Verbesserung der Entwicklungsmöglichkeiten.
2025
Auszeichnung für einen O-Band-Halbleiter-Optikverstärker mit hoher Sättigungsleistung für Anwendungen in der optischen Informations-, Kommunikations- und Sicherheitstechnik (Innovationspreis, Laser World of Photonics / Europa Science)