Gain-Chip bei 850nm mit 50mW Ausgangsleistung und 30nm Abstimmbereich im TO-Can-Gehäuse

Gain-Chip bei 850nm mit 50mW Ausgangsleistung und 30nm Abstimmbereich im TO-Can-Gehäuse

GCB0850030TC050MXXXX

Wellenlänge: 850 nm

Regelbereichsbreite: 30 nm

Maximale Ausgangsleistung: 50 mW

Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 845 nm

Durchlassstrom: 200 mA

Strahldivergenz langsame Achse: 8 deg

Strahldivergenz schnelle Achse: 32 deg

Chiplänge: 4 mm

Mesa-Typ: curved

Gehäuse: TO package

IN DEN WARENKORB

ANWENDUNGEN