Gain-Chip bei 830nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 830nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  830 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
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Gain-Chip bei 831nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 831nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  831 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
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Gain-Chip bei 832nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 832nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  832 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
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Gain-Chip bei 833nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 833nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  833 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
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Gain-Chip bei 834nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 834nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  834 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
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Gain-Chip bei 835nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 835nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  835 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
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