Superlumineszenzdiode bei 830nm im BTF-Gehäuse
Superlumineszenzdiode bei 830nm im BTF-Gehäuse
SLD0830010YY050MXXXX
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Mittlere Wellenlänge:  830 nm
Spektralbandbreite (3dB):  10 nm
Ausgangsleistung:  50 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 830nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 830nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
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Wellenlänge:  830 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  50 mW
IN DEN WARENKORB