我们的 设施

我们的设施——满足开发与生产的一切所需

Innolume 提供完整的一体化解决方案，用于制造波长范围为 780-1350 nm 的多种基于 GaAs 的光电子器件。

两台量产级分子束外延MBE反应炉提供设计灵活性，并支持(In,Al)GaAs(P,N)/GaAs材料系统的选择。常规(In,Al)GaAs量子阱结构覆盖标准波长范围780-1180 nm，而专有的InAs量子点技术将可实现的波长范围扩展至1350 nm。

高功率技术成就卓越品质

专有的表面钝化技术应用于晶面断口，确保我们全系列高功率产品具有卓越的寿命表现。高精度控制的光学薄膜沉积工艺可在断口实现极低反射率（<0.01%）的增透膜，这对于我们外腔增益芯片（GC）的低噪声表现，以及半导体光放大器（SOA）和超辐射发光二极管（SLD）产品的低光谱起伏至关重要。

内部的键合与封装能力支持从裸芯片或安装于不同载体的芯片进行快速打样和小批量生产，直至实现如带自由空间输出的光纤耦合蝶形封装等复杂封装方案。

适用于多种应用的理想设备

Innolume配备了所有必要设备，用于根据预期应用对芯片和模块进行测试：