Superluminescent diode at 1000nm in BTF package
Superluminescent diode at 1000nm in BTF package
SLD1000100YY015MXXXX
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Mean wavelength:  1000 nm
Spectrum bandwidth (3dB):  100 nm
Output power:  15 mW
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Semiconductor optical amplifier at 1000nm in BTF package
Semiconductor optical amplifier at 1000nm in BTF package
SOA1000100YY30DBXXXX
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Wavelength:  1000 nm
Gain bandwith (3dB):  100 nm
Small signal gain:  32 dB
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Gain-module at 1000nm in BTF-package
Gain-module at 1000nm in BTF-package
GMB1060150YY250MXXXX
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Wavelength:  1000 nm
Tuning range width:  150 nm
Maximal Output Power:  250 mW
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Gain-chip at 1000nm in TO package
Gain-chip at 1000nm in TO package
GCB0950110TC200MXXXX
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Wavelength:  1000 nm
Tuning range width:  110 nm
Maximal Output Power:  200 mW
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Gain-chip at 1000nm in TO package
Gain-chip at 1000nm in TO package
GCB1030160TC100MXXXX
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Wavelength:  1000 nm
Tuning range width:  160 nm
Maximal Output Power:  110 mW
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Gain-chip at 1000nm in TO package
Gain-chip at 1000nm in TO package
GCB1060150TC200MXXXX
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Wavelength:  1000 nm
Tuning range width:  150 nm
Maximal Output Power:  210 mW
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1000 nm 二极管

波长为 1000 纳米的光源在科学、医疗和工业应用中至关重要,支持近红外光谱、光热疗法、激光泵浦以及量子技术等领域。

1000 nm 二极管的应用

在 1000 nm 波段,光源能够实现生物医学中的深层组织成像,具有低散射和最小光损伤的特点。同时,它们也用于光热疗法,通过精确加热实现靶向治疗。此外,这一波长在外腔光学相干断层扫描(OCT)、子组件测试以及光纤组装对准中起关键作用。
量子领域中,尤其是 1010–1015 nm 范围内的放大器,是实现量子逻辑门的关键,推动量子计算的发展。在原子物理实验中,1000 nm 激光被用于主振荡器功率放大系统(MOPA),并激发镱原子 Rydberg 态,其中 976 nm 光用作初始种子,在滤波腔后需要额外功率以进行注入锁定。微转移印刷工艺也受益于该波段的单模聚合物光波导,实现高精度控制。
此外,使用 1000 nm 的超辐射二极管(SLD)可生成宽带光源,用于光纤布拉格光栅(FBG)的生产和检测。

光源类型

激光二极管:在 1000 nm 下可提供窄线宽、高相干性的光,非常适合分子光谱学、量子计算研究以及微尺度材料加工等高精度应用。

超辐射二极管(SLD):可输出宽光谱、低相干光,非常适用于 FBG 测试系统和成像应用,能有效降低散斑噪声,提高清晰度。

半导体光放大器(SOA):在 1000 nm 下可实现快速增益调制和信号放大,优化功率扩展和信号完整性,满足高要求的工业和科学实验需求。

技术优势
1000 nm 半导体器件体积紧凑、能效高,并可根据需求定制,如偏振保持光纤、可调谐波长和外腔结构。通过精确的温度和电流控制,可确保输出稳定且高精度,这对于量子技术、原子研究和医学诊断等对可靠性要求极高的应用尤为关键。