UNSERE EINRICHTUNGEN
Unsere Einrichtungen – alles, was Sie für Entwicklung & Produktion benötigen
Innolume bietet eine vollständig integrierte Lösung für die Herstellung einer breiten Palette von GaAs-basierten optoelektronischen Bauelementen im Wellenlängenbereich von 780–1350 nm.
Zwei MBE-Reaktoren im Produktionsmaßstab ermöglichen Designflexibilität und eine breite Materialauswahl im (In,Al)GaAs(P,N)/GaAs-System. Konventionelle (In,Al)GaAs-Quantenfilme decken den Standard-Wellenlängenbereich von 780–1180 nm ab, während die firmeneigene InAs-Quantum Dot Technologie den erreichbaren Bereich bis zu 1350 nm erweitert.
Hochleistungstechnologie für hochwertige Ergebnisse
Unsere proprietäre Oberflächenpassivierungstechnologie, die auf gespaltene Facetten angewendet wird, sorgt für eine herausragende Lebensdauer über das gesamte Spektrum unserer Hochleistungsprodukte. Die präzise kontrollierte Ablagerung optischer Schichten ermöglicht das Erreichen einer extrem niedrigen (<0,01 %) Antireflexbeschichtung auf gespaltenen Facetten. Dies ist entscheidend für die geringe Rauschleistung unserer Verstärkerchips (GC) in externen Resonatoren sowie für geringe spektrale Welligkeiten unserer Halbleiteroptischen Verstärker (SOA) und superlumineszenten Dioden (SLD).
Unsere In-House-Bonding- und Verpackungskapazitäten ermöglichen eine schnelle Prototypenfertigung und Kleinserienproduktion eines breiten Produktspektrums – von nackten Chips oder Chip-on-Trägerlösungen bis hin zu komplexen Verpackungslösungen wie fasergekoppelten Butterfly-Gehäusen mit Freistrahlausgang.
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Innolume verfügt über alle notwendigen Geräte für die Prüfung von Chips und Modulen entsprechend den vorgesehenen Anwendungen:
