Broad-Area-Laserdiode bei 1120nm auf Submount
Broad-Area-Laserdiode bei 1120nm auf Submount
BAE1120004CC008WXXXX
Mittlere Wellenlänge: 1120 nm
Mesa-Breite: 130 um
Augangsleistungs: 8 W
Durchlassstrom: 11 A
Durchlassspannung: 1.4 V
Schwellstrom: 1 A
Spektralbandbreite (3dB): 4 nm
Strahldivergenz langsame Achse: 7 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 36 deg
Gehäuse: Chip-on-carrier
IN DEN WARENKORB
applications
- Medizinisch