Broad-Area-Laserdiode bei 1150nm auf Submount
Broad-Area-Laserdiode bei 1150nm auf Submount
BAD1150010CC004WXXXX
Mittlere Wellenlänge: 1150 nm
Mesa-Breite: 90 um
Augangsleistungs: 4 W
Durchlassstrom: 8 A
Durchlassspannung: 1.4 V
Schwellstrom: 0.4 A
Spektralbandbreite (3dB): 10 nm
Strahldivergenz langsame Achse: 8 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 40 deg
Gehäuse: Chip-on-carrier
IN DEN WARENKORB