Broad-Area-Laserdiode bei 1180nm auf Submount
Broad-Area-Laserdiode bei 1180nm auf Submount
BAD1180010CC003WXXXX
Mittlere Wellenlänge: 1180 nm
Mesa-Breite: 90 um
Augangsleistungs: 3 W
Durchlassstrom: 6 A
Durchlassspannung: 1.5 V
Schwellstrom: 0.5 A
Spektralbandbreite (3dB): 10 nm
Strahldivergenz langsame Achse: 7 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 38 deg
Gehäuse: Chip-on-carrier
IN DEN WARENKORB