Broad-Area-Laserdiode bei 1210nm auf Submount
Broad-Area-Laserdiode bei 1210nm auf Submount
BAH1210010CC009WXXXX
Mittlere Wellenlänge: 1210 nm
Mesa-Breite: 250 um
Augangsleistungs: 9 W
Durchlassstrom: 17 A
Durchlassspannung: 1.4 V
Schwellstrom: 1 A
Spektralbandbreite (3dB): 10 nm
Strahldivergenz langsame Achse: 9 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 27 deg
Gehäuse: Chip-on-carrier
IN DEN WARENKORB
applications
- Medizinisch
- Ästhetisch