Gain-Chip bei 1041nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1041nm im TO-Gehäuse
GCB1030160TC100MXXXX
Wellenlänge: 1041 nm
Regelbereichsbreite: 160 nm
Maximale Ausgangsleistung: 110 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1030 nm
Durchlassstrom: 200 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 8 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 18 deg
Chiplänge: 1.5 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser