Gain-Chip bei 1100nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1100nm im TO-Gehäuse
GCB1060150TC200MXXXX
Wellenlänge: 1100 nm
Regelbereichsbreite: 150 nm
Maximale Ausgangsleistung: 210 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1060 nm
Durchlassstrom: 400 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 8 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 17 deg
Chiplänge: 1.5 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser