Gain-Chip bei 1106nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1106nm im TO-Gehäuse
GCA1110070TC300MXXXX
Wellenlänge: 1106 nm
Regelbereichsbreite: 70 nm
Maximale Ausgangsleistung: 350 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1105 nm
Durchlassstrom: 600 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 4 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 35 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: straight
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
ANWENDUNGEN
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser