Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
Wellenlänge: 1110 nm
Regelbereichsbreite: 130 nm
Maximale Ausgangsleistung: 200 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1105 nm
Durchlassstrom: 400 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 9 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 38 deg
Chiplänge: 1.4 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser