Gain-Chip bei 1166nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1166nm im TO-Gehäuse
GCA1160090TC200MXXXX
Wellenlänge: 1166 nm
Regelbereichsbreite: 90 nm
Maximale Ausgangsleistung: 230 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1150 nm
Durchlassstrom: 600 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 5 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 42 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: straight
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
ANWENDUNGEN
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser