Gain-Chip bei 1185nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1185nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
Wellenlänge: 1185 nm
Regelbereichsbreite: 100 nm
Maximale Ausgangsleistung: 210 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1170 nm
Durchlassstrom: 600 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 6 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 37 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser