Gain-Chip bei 1203nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1203nm im TO-Gehäuse
GCB1270130TC200MXXXX
Wellenlänge: 1203 nm
Regelbereichsbreite: 130 nm
Maximale Ausgangsleistung: 200 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1270 nm
Durchlassstrom: 800 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 6 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 38 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser