Gain-Chip bei 1204nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1204nm im TO-Gehäuse
GCA1180080TC200MXXXX
Wellenlänge: 1204 nm
Regelbereichsbreite: 80 nm
Maximale Ausgangsleistung: 220 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1180 nm
Durchlassstrom: 600 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 4 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 37 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: straight
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser