Gain-Chip bei 1231nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1231nm im TO-Gehäuse
GCB1220110TC200MXXXX
Wellenlänge: 1231 nm
Regelbereichsbreite: 110 nm
Maximale Ausgangsleistung: 230 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1215 nm
Durchlassstrom: 800 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 6 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 32 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser