Gain-Chip bei 1240nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1240nm im TO-Gehäuse
GCA1260060TC120MXXXX
Wellenlänge: 1240 nm
Regelbereichsbreite: 60 nm
Maximale Ausgangsleistung: 120 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1260 nm
Durchlassstrom: 400 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 5 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 38 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: straight
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser