Gain-Chip bei 1264nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1264nm im TO-Gehäuse
GCB1260060TC200MXXXX
Wellenlänge: 1264 nm
Regelbereichsbreite: 60 nm
Maximale Ausgangsleistung: 210 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1260 nm
Durchlassstrom: 800 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 7 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 38 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser