Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1265nm im TO-Gehäuse
GCA1270060TC200MXXXX
Wellenlänge: 1265 nm
Regelbereichsbreite: 60 nm
Maximale Ausgangsleistung: 200 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1270 nm
Durchlassstrom: 800 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 6 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 33 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: straight
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser