Gain-Chip bei 1312nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1312nm im TO-Gehäuse
GCB1330070TC200MXXXX
Wellenlänge: 1312 nm
Regelbereichsbreite: 70 nm
Maximale Ausgangsleistung: 200 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1325 nm
Durchlassstrom: 800 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 7 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 37 deg
Chiplänge: 3 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
ANWENDUNGEN
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser