Neue Veröffentlichung im Journal Photonics Research
Ein neuer Artikel mit dem Titel „Micro-transfer printing of O-band InAs/GaAs quantum-dot SOAs on silicon photonic integrated circuits“ wurde in Photonics Research veröffentlicht und als Editor’s Pick ausgezeichnet. Die Ergebnisse dieser Arbeit entstanden in Zusammenarbeit mit der Photonics Research Group (Ghent University – imec), EV Group und IDLab (UGent – UAntwerpen – imec) im Rahmen des CALADAN EU-Projekts (825453).
In dem Artikel wird die Entwicklung vorgefertigter, standardisierter InAs/GaAs Quantenpunkt-(QD)-Aktivbauelemente beschrieben, die für das Micro-Transfer-Printing optimiert wurden und erfolgreich in siliziumphotonische (SiPh) integrierte Schaltungen integriert werden konnten. Durch präzises Transfer-Printing auf vordefinierte Bereiche des SiPh-Chips konnten O-Band-Halbleiteroptische Verstärker (SOAs), DFB-Laser (Distributed Feedback) und weit abstimmbare Laser (TLs) realisiert werden. Dieser Ansatz ermöglicht eine effiziente Lichtkopplung zwischen Siliziumwellenleitern und III-V-Aktivmaterialien bei gleichzeitigem Erhalt der CMOS-kompatiblen Verarbeitung.
Wesentliche erzielte Ergebnisse:
- Effiziente optische Kopplung zwischen Siliziumwellenleitern und QD-basierten SOAs mit einem On-Chip-Verstärkungswert von 7,5 dB bei 1299 nm;
- Integrierte DFB-Laser mit bis zu 19,7 mW wellenleitergekoppelter Ausgangsleistung, einem SMSR von 33,3 dB und fehlerfreier 30-Gbps-Übertragung ohne Isolatoren;
- Weit abstimmbare Laser mit einem Abstimmbereich von über 35 nm und einer Ausgangsleistung von über 3 mW.
Die Ergebnisse bestätigen, dass QD-basiertes Aktivmaterial hervorragend für die Integration mit Siliziumphotonik geeignet ist. Dieser Fortschritt ebnet den Weg für skalierbare, energieeffiziente und hochgeschwindige siliziumphotonische Systeme, die für optische Interconnects der nächsten Generation entscheidend sind.
