Halbleiteroptischer Verstärker bei 855nm im BTF-Gehäuse
Halbleiteroptischer Verstärker bei 855nm im BTF-Gehäuse
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Halbleiteroptischer Verstärker bei 855nm im BTF-Gehäuse

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Wellenlänge:  855 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  12 nm
Kleinsignalverstärkung:  25 dB
Sättigungsausgangsleistung:  12 dBm
Rauschzahl:  10.5 dB
Durchlassstrom:  300 mA
Durchlassspannung:  1.8 V
Extinktionsverhältnis der Polarisation:  13 dB
Gehäuse:  Fiber-coupled
IN DEN WARENKORB
ANWENDUNGEN
  • Wissenschaftlich
  • Abstimmbare Laserquelle
  • Atomuhren