Gain-module at 1002nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 1002nm im BTF-Gehäuse
GMB1060150YY250MXXXX
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Wellenlänge:  1002 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  250 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1002nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1002nm im TO-Gehäuse
GCB1030160TC100MXXXX
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Wellenlänge:  1002 nm
Regelbereichsbreite:  160 nm
Maximale Ausgangsleistung:  110 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1002nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1002nm im TO-Gehäuse
GCB1060150TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1002 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
IN DEN WARENKORB