1006 nm Diode

1006 nm Diode

Halbleiteroptischer Verstärker bei 1006nm im BTF-Gehäuse

Halbleiteroptischer Verstärker bei 1006nm im BTF-Gehäuse

SOA1006080YY25DBXXXX

Wellenlänge: 1006 nm

Verstärkungsbandbreite (3dB): 80 nm

Kleinsignalverstärkung: 25 dB

IN DEN WARENKORB

Halbleiteroptischer Verstärker bei 1006nm im BTF-Gehäuse

Halbleiteroptischer Verstärker bei 1006nm im BTF-Gehäuse

SOA1006110YY30DBXXXX

Wellenlänge: 1006 nm

Verstärkungsbandbreite (3dB): 110 nm

Kleinsignalverstärkung: 30 dB

IN DEN WARENKORB

Gain-module at 1006nm im BTF-Gehäuse

Gain-module at 1006nm im BTF-Gehäuse

GMB1060150YY250MXXXX

Wellenlänge: 1006 nm

Regelbereichsbreite: 150 nm

Maximale Ausgangsleistung: 250 mW

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 1006nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 1006nm im TO-Gehäuse

GCB1030160TC100MXXXX

Wellenlänge: 1006 nm

Regelbereichsbreite: 160 nm

Maximale Ausgangsleistung: 110 mW

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 1006nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 1006nm im TO-Gehäuse

GCB1060150TC200MXXXX

Wellenlänge: 1006 nm

Regelbereichsbreite: 150 nm

Maximale Ausgangsleistung: 210 mW

IN DEN WARENKORB