Gain-Chip bei 1030nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1030nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1030 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 1031nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1031nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1031 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 1032nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1032nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1032 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 1033nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1033nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1033 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 1034nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1034nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1034 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 1035nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1035nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1035 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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