Gain-module at 1146nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 1146nm im BTF-Gehäuse
GMB1140120YY130MXXXX
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Wellenlänge:  1146 nm
Regelbereichsbreite:  120 nm
Maximale Ausgangsleistung:  130 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1146nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1146nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1146 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1146nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1146nm im TO-Gehäuse
GCA1160090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1146 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 1146nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1146nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1146 nm
Regelbereichsbreite:  100 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-Chip bei 1146nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1146nm im TO-Gehäuse
GCA1180080TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1146 nm
Regelbereichsbreite:  80 nm
Maximale Ausgangsleistung:  220 mW
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