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779 nm Diode

779 nm Diode

Halbleiteroptischer Verstärker bei 779nm im BTF-Gehäuse
Halbleiteroptischer Verstärker bei 779nm im BTF-Gehäuse
SOA0779016YY30DBXXXX
PDF
Wellenlänge:  779 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  16 nm
Kleinsignalverstärkung:  31 dB
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 779nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 779nm im TO-Gehäuse
GCB0780030TC030MXXXX
PDF
Wellenlänge:  779 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  33 mW
IN DEN WARENKORB