Gain-Chip bei 908nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 908nm im TO-Gehäuse
GCB0920090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  908 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
IN DEN WARENKORB
Gain-Chip bei 908nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 908nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  908 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
IN DEN WARENKORB