Gain-Chip bei 1190nm mit 200mW Ausgangsleistung und 110nm Abstimmbereich im TO-Can-Gehäuse

Gain-Chip bei 1190nm mit 200mW Ausgangsleistung und 110nm Abstimmbereich im TO-Can-Gehäuse

GCB1190110TC200MXXXX

Wellenlänge: 1190 nm

Regelbereichsbreite: 110 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1215 nm

Durchlassstrom: 800 mA

Strahldivergenz langsame Achse: 6 deg

Strahldivergenz schnelle Achse: 32 deg

Chiplänge: 3 mm

Mesa-Typ: curved

Gehäuse: TO package

IN DEN WARENKORB

ANWENDUNGEN