Gain-Chip bei 1190nm mit 200mW Ausgangsleistung und 90nm Abstimmbereich im TO-Can-Gehäuse

Gain-Chip bei 1190nm mit 200mW Ausgangsleistung und 90nm Abstimmbereich im TO-Can-Gehäuse

GCA1190090TC200MXXXX

Wellenlänge: 1190 nm

Regelbereichsbreite: 90 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1150 nm

Durchlassstrom: 600 mA

Strahldivergenz langsame Achse: 5 deg

Strahldivergenz schnelle Achse: 42 deg

Chiplänge: 3 mm

Mesa-Typ: straight

Gehäuse: TO package

IN DEN WARENKORB

ANWENDUNGEN