Gain-Chip bei 1275nm mit 200mW Ausgangsleistung und 60nm Abstimmbereich im TO-Can-Gehäuse

Gain-Chip bei 1275nm mit 200mW Ausgangsleistung und 60nm Abstimmbereich im TO-Can-Gehäuse

GCB1275060TC200MXXXX

Wellenlänge: 1275 nm

Regelbereichsbreite: 60 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 1260 nm

Durchlassstrom: 800 mA

Strahldivergenz langsame Achse: 7 deg

Strahldivergenz schnelle Achse: 38 deg

Chiplänge: 3 mm

Mesa-Typ: curved

Gehäuse: TO package

IN DEN WARENKORB

ANWENDUNGEN