Gain-Chip bei 775nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 775nm im TO-Gehäuse
GCB0780030TC030MXXXX
Wellenlänge: 775 nm
Regelbereichsbreite: 30 nm
Maximale Ausgangsleistung: 33 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 775 nm
Durchlassstrom: 150 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 7.5 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 22 deg
Chiplänge: 2 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser