Halbleiteroptischer Verstärker bei 775nm im BTF-Gehäuse
Halbleiteroptischer Verstärker bei 775nm im BTF-Gehäuse
SOA0775016YY30DBXXXX
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Wellenlänge:  775 nm
Verstärkungsbandbreite (3dB):  16 nm
Kleinsignalverstärkung:  31 dB
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Gain-Chip bei 765nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 765nm im TO-Gehäuse
GCB0780030TC030MXXXX
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Wellenlänge:  765 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  33 mW
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Gain-Chip bei 766nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 766nm im TO-Gehäuse
GCB0780030TC030MXXXX
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Wellenlänge:  766 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  33 mW
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Gain-Chip bei 767nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 767nm im TO-Gehäuse
GCB0780030TC030MXXXX
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Wellenlänge:  767 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  33 mW
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Gain-Chip bei 768nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 768nm im TO-Gehäuse
GCB0780030TC030MXXXX
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Wellenlänge:  768 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  33 mW
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Gain-Chip bei 769nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 769nm im TO-Gehäuse
GCB0780030TC030MXXXX
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Wellenlänge:  769 nm
Regelbereichsbreite:  30 nm
Maximale Ausgangsleistung:  33 mW
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