Gain-Chip bei 854nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 854nm im TO-Gehäuse
GCB0850030TC050MXXXX
Wellenlänge: 854 nm
Regelbereichsbreite: 30 nm
Maximale Ausgangsleistung: 50 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 845 nm
Durchlassstrom: 200 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 8 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 32 deg
Chiplänge: 4 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
ANWENDUNGEN
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser