Gain-Chip bei 956nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 956nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
Wellenlänge: 956 nm
Regelbereichsbreite: 110 nm
Maximale Ausgangsleistung: 200 mW
Mittlere Wellenlänge des Regelbereichs: 950 nm
Durchlassstrom: 400 mA
Strahldivergenz langsame Achse: 5.5 deg
Strahldivergenz schnelle Achse: 31 deg
Chiplänge: 1.5 mm
Mesa-Typ: curved
Gehäuse: TO package
IN DEN WARENKORB
applications
- Abstimmbare Laserquelle
- Externer Resonatorlaser