950 nm Diode

950 nm Diode

Halbleiteroptischer Verstärker bei 950nm im BTF-Gehäuse

Halbleiteroptischer Verstärker bei 950nm im BTF-Gehäuse

SOA0950080YY25DBXXXX

Wellenlänge: 950 nm

Verstärkungsbandbreite (3dB): 80 nm

Kleinsignalverstärkung: 25 dB

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 890nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 890nm im TO-Gehäuse

GCB0950110TC200MXXXX

Wellenlänge: 890 nm

Regelbereichsbreite: 110 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 891nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 891nm im TO-Gehäuse

GCB0950110TC200MXXXX

Wellenlänge: 891 nm

Regelbereichsbreite: 110 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 892nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 892nm im TO-Gehäuse

GCB0950110TC200MXXXX

Wellenlänge: 892 nm

Regelbereichsbreite: 110 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 893nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 893nm im TO-Gehäuse

GCB0950110TC200MXXXX

Wellenlänge: 893 nm

Regelbereichsbreite: 110 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

IN DEN WARENKORB

Gain-Chip bei 894nm im TO-Gehäuse

Gain-Chip bei 894nm im TO-Gehäuse

GCB0950110TC200MXXXX

Wellenlänge: 894 nm

Regelbereichsbreite: 110 nm

Maximale Ausgangsleistung: 200 mW

IN DEN WARENKORB

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