Gain-Chip bei 890nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 890nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  890 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 891nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 891nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  891 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 892nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 892nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  892 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 893nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 893nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  893 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 894nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 894nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  894 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 895nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 895nm im TO-Gehäuse
GCB0950110TC200MXXXX
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Wellenlänge:  895 nm
Regelbereichsbreite:  110 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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