Gain-module at 990nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 990nm im BTF-Gehäuse
GMB1060150YY250MXXXX
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Wellenlänge:  990 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  250 mW
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Gain-Chip bei 990nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 990nm im TO-Gehäuse
GCB1060150TC200MXXXX
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Wellenlänge:  990 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-module at 991nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 991nm im BTF-Gehäuse
GMB1060150YY250MXXXX
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Wellenlänge:  991 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  250 mW
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Gain-Chip bei 991nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 991nm im TO-Gehäuse
GCB1060150TC200MXXXX
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Wellenlänge:  991 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-module at 992nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 992nm im BTF-Gehäuse
GMB1060150YY250MXXXX
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Wellenlänge:  992 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  250 mW
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Gain-Chip bei 992nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 992nm im TO-Gehäuse
GCB1060150TC200MXXXX
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Wellenlänge:  992 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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