Gain-module at 1110nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 1110nm im BTF-Gehäuse
GMB1060150YY250MXXXX
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Wellenlänge:  1110 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  250 mW
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Gain-module at 1110nm im BTF-Gehäuse
Gain-module at 1110nm im BTF-Gehäuse
GMB1140120YY130MXXXX
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Wellenlänge:  1110 nm
Regelbereichsbreite:  120 nm
Maximale Ausgangsleistung:  130 mW
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Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
GCB1030160TC100MXXXX
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Wellenlänge:  1110 nm
Regelbereichsbreite:  160 nm
Maximale Ausgangsleistung:  110 mW
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Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
GCB1060150TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1110 nm
Regelbereichsbreite:  150 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
GCB1105130TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1110 nm
Regelbereichsbreite:  130 nm
Maximale Ausgangsleistung:  200 mW
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Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1110nm im TO-Gehäuse
GCA1110070TC300MXXXX
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Wellenlänge:  1110 nm
Regelbereichsbreite:  70 nm
Maximale Ausgangsleistung:  350 mW
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