Gain-Chip bei 1100nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1100nm im TO-Gehäuse
GCA1160090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1100 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1101nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1101nm im TO-Gehäuse
GCA1160090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1101 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1102nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1102nm im TO-Gehäuse
GCA1160090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1102 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1103nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1103nm im TO-Gehäuse
GCA1160090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1103 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1104nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1104nm im TO-Gehäuse
GCA1160090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1104 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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Gain-Chip bei 1105nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1105nm im TO-Gehäuse
GCA1160090TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1105 nm
Regelbereichsbreite:  90 nm
Maximale Ausgangsleistung:  230 mW
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