Gain-Chip bei 1120nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1120nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1120 nm
Regelbereichsbreite:  100 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-Chip bei 1121nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1121nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1121 nm
Regelbereichsbreite:  100 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-Chip bei 1122nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1122nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1122 nm
Regelbereichsbreite:  100 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-Chip bei 1123nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1123nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1123 nm
Regelbereichsbreite:  100 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-Chip bei 1124nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1124nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1124 nm
Regelbereichsbreite:  100 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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Gain-Chip bei 1125nm im TO-Gehäuse
Gain-Chip bei 1125nm im TO-Gehäuse
GCB1180100TC200MXXXX
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Wellenlänge:  1125 nm
Regelbereichsbreite:  100 nm
Maximale Ausgangsleistung:  210 mW
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